2020-2024
FILTER
Nouvelles stratégies pour la réduction de la densité de dislocations en épitaxie de III/V sur Silicium
Responsable :
Équipes de recherche :
Axe(s) de recherche :
Capteurs et Instrumentations, Matériaux, Photonique et Ondes
Partenaires :
Financé par :
Voir aussi
RESISTE
Amélioration des performances des capteurs de chocs jusqu'à plus de 200 000g
Partenaires :
Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (CNRS/LAAS), Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications
Financé par :
UNISON
Capteur universel basé sur un spectromètre infrarouge moyen pompé électriquement sur des puces en silicium
Partenaires :
Centre National de la Recherche Scientifique, IES, Université technique de Vienne, École polytechnique de Milan , The Arctic University of Norway
